上海积塔半导体申请功率器件的制备方法及相关专利减少应力来源_电池问答

上海积塔半导体申请功率器件的制备方法及相关专利减少应力来源

创始人

2025-06-23 18:09:41

0次

金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“功率器件的制备方法及功率器件、半导体器件和电子设备”的专利，公开号CN120187052A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本公开涉及一种功率器件的制备方法及功率器件、半导体器件和电子设备，方法包括：提供衬底；于衬底上形成前层结构；于前层结构内形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第二沟槽位于前层结构的中间位置，第一沟槽和第三沟槽分别位于前层结构相对的两侧，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽均暴露出衬底顶面；于前层结构上形成覆盖顶面的保护层；于保护层上形成图案化的第一光刻胶层，图案化的第一光刻胶层暴露出被保护层覆盖的第二沟槽；于图案化的第一光刻胶层为掩膜版进行离子注入，形成第一离子类型的体区。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1832次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1184条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

企业方法显示功率沟槽器件相关导体应力专利胶层衬底图案化

上一篇：显盈科技：PCB板属于公司生产所需采购的原材料之一

下一篇：ETF主力榜 | 半导体ETF(159813)主力资金净流入4416.06万元，居可比基金首位-20250623

上海积塔半导体申请功率器件的制备方法及相关专利减少应力来源

相关内容

热门资讯

上海积塔半导体申请功率器件的制备方法及相关专利 减少应力来源

相关内容

热门资讯

上海积塔半导体申请功率器件的制备方法及相关专利减少应力来源