半导体元件工业申请图像传感器及用于制造图像传感器的方法专利，涉及图像传感器及用于制造图像传感器的方法
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2025-08-16 15:16:36
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金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“图像传感器及用于制造图像传感器的方法”的专利，公开号CN120475791A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本发明涉及图像传感器及用于制造图像传感器的方法。该方法包括在平坦化层上形成第一光致抗蚀剂层。该方法还包括执行显影工艺以在接合焊盘上方形成第一孔。该方法还包括执行第一干法蚀刻工艺以形成朝向该接合焊盘延伸的第一沟槽。该方法还包括在该平坦化层上并且沿着该第一沟槽形成抗反射涂覆(ARC)层。该方法还包括在该ARC层上和该第一沟槽内形成第二光致抗蚀剂层。该方法还包括执行显影工艺以形成从该第一沟槽的该ARC层延伸到该图像传感器的顶侧的第二孔。该方法还包括执行第二干法蚀刻工艺以形成从该第一沟槽到该接合焊盘的第二沟槽。
来源：金融界
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