长鑫科技申请电容器的形成方法及半导体存储器专利，减少制备电容器过程中形成的结构缺陷
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2025-08-16 15:16:42
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“电容器的形成方法及半导体存储器”的专利，公开号CN120500058A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开提供了一种电容器的形成方法及半导体存储器，涉及半导体技术领域。该电容器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成上电极层；在所述上电极层中形成电容孔；形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述电容孔的侧壁；在所述电容孔的剩余空间内填充下电极层，所述下电极层的表面与所述上电极层的表面齐平；在所述下电极层的表面形成第二介电层，所述第二介电层与所述第一介电层接触；在所述第二介电层上形成上极板层，所述上极板层与所述上电极层连接，所述上极板层的材料与所述上电极层的材料相同。该形成方法可减少制备电容器过程中形成的结构缺陷，进而提高电容器的制备质量。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1081次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息473条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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