中芯国际申请半导体结构的形成方法及封装方法专利，有利于提高半导体结构的键合效果
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2025-11-24 19:07:38
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及封装方法”的专利，公开号CN 120998787 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法及封装方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括待键合面；在待键合面一侧的基底中形成键合焊垫，待键合面露出键合焊垫顶面；形成覆盖键合焊垫且露出待键合面的保护层；对待键合面进行表面激活处理。本发明有利于提高半导体结构的键合效果，从而有利于提高封装良率。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
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来源：市场资讯
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