德州仪器申请集成深沟槽高K电容器和方法专利，实施例涉及集成深沟槽高K电容器和方法
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2025-06-27 21:38:38
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“集成深沟槽高K电容器和方法”的专利，公开号CN120224773A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请的实施例涉及集成深沟槽高K电容器和方法。所描述实例包含一种集成电路，所述集成电路包含位于半导体衬底(106)的顶部表面上方并在栅电极(120、131)上方延伸的介电层(105)。沟槽从所述介电层的顶部表面延伸到所述衬底中。导电沟槽电极(108)在所述沟槽内，且介电内衬(109)在所述沟槽电极与所述半导体衬底之间。顶盖介电层(111)位于所述导电沟槽电极(108)上和所述介电层(105)上，且在所述栅电极(120、131)上方延伸。
来源：金融界
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