英飞凌申请半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法专利，本体接触区域相对于竖向方向和横向方向倾斜
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2025-12-02 21:08:32
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法”的专利，公开号CN121057260A，申请日期为2021年2月。
专利摘要显示，公开了半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法。本申请涉及一种半导体晶体管器件(1)，其具有：源极区(2)；本体区(3)，其包括在竖向方向(10)上延伸的沟道区(3.1)；漏极区(4)；栅极区(6)，被布置成在横向方向(11)上在沟道区(3.1)旁边；以及由导电材料(9)制成的本体接触区(7)，其中本体接触区(7)形成本体接触区域(8)，本体接触区(7)经由本体接触区域(8)与本体区(3)电接触，并且其中本体接触区域(8)相对于竖向方向(10)和横向方向(11)倾斜。
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