华虹宏力申请快恢复二极管及其形成方法专利，实现对铂扩散深度的精准控制
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2025-06-28 14:38:14
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“快恢复二极管及其形成方法”的专利，公开号CN120224702A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种快恢复二极管及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成有源区和若干分压环；在衬底上形成若干场氧化层和若干多晶硅层；在衬底上形成第一介质层，第一介质层内具有若干接触孔；采用铂扩散处理在衬底内扩散铂原子；对扩散在衬底内的铂原子进行质子辐照处理，使得铂原子集中在衬底内的预设深度。由于质子辐照处理中辐照区上质子辐照感生的空位缺陷对铂原子具有吸引作用，因此通过对扩散在衬底内的铂原子进行质子辐照处理，使得铂原子集中在衬底内的预设深度，以实现对铂扩散深度的精准控制。另外质子辐照技术还能够避免通过额外引入离子注入技术来控制铂扩散的深度，进而能够有效避免衬底内因额外引入离子注入而带来的缺陷。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目899次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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