浙江芯科半导体申请NiO作反型层的超结MOSFET及其制备方法专利，低导通电阻
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2025-12-08 19:07:04
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国家知识产权局信息显示，浙江芯科半导体有限公司申请一项名为“一种NiO作反型层的超结MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN121078764A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种NiO作反型层的超结MOSFET及其制备方法，超结MOSFET包括：衬底、第一材料层、第二材料层、第三材料层、栅电极、源电极及漏电极；第一材料层设置在衬底表面，第一材料层上具有第一孔；第二材料层设置在第一孔内，并与第一材料层和/或衬底接触，第二材料层上具有第二孔；第三材料层设置在第二孔内，第三材料层与第二材料层接触并与第一材料层不直接接触；第一材料层为n-SiC材料层，第二材料层为p-NiO材料层，第三材料层为N型材料层，第一材料层与第二材料层形成超结结构，第二材料层与第三材料层形成异质结。制备方法用于制备出NiO作反型层的超结MOSFET。本申请中将p-NiO材料层设置为反型层具有高导电性、低导通电阻、优异的界面特性等优势。
天眼查资料显示，浙江芯科半导体有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本3472.8万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江芯科半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息173条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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