国家知识产权局信息显示,杰平方半导体(上海)有限公司申请一项名为“高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构”的专利,公开号CN121078802A,申请日期为2024年5月。
专利摘要显示,本发明公开了一种高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构,属于半导体制造技术领域,该高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构,包括第一P型衬底;第一P型掺杂区,位于第一P型衬底中,第一P型掺杂区的顶部从左至右依次分布有第三P型掺杂区、第一N型掺杂区,第三P型掺杂区的底部还布置有第一P型势垒层;第二P型掺杂区,位于第一P型掺杂区的右侧,且第一P型掺杂区和第二P型掺杂区之间通过N型阱区间隔,第二P型掺杂区的顶部从左至右依次分布有第二N型掺杂区、第四P型掺杂区。通过利用kirk效应在P形掺杂区的底部形成P型势垒层,小幅度精准提升每个SCR结构的维持电压至2.3V,大大降低占用面积。
天眼查资料显示,杰平方半导体(上海)有限公司,成立于2021年,位于上海市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析,杰平方半导体(上海)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息32条,专利信息71条,此外企业还拥有行政许可2个。
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来源:市场资讯