杰平方半导体申请高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构专利，大大降低占用面积
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2025-12-09 08:37:07
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国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构”的专利，公开号CN121078802A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构，属于半导体制造技术领域，该高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构，包括第一P型衬底；第一P型掺杂区，位于第一P型衬底中，第一P型掺杂区的顶部从左至右依次分布有第三P型掺杂区、第一N型掺杂区，第三P型掺杂区的底部还布置有第一P型势垒层；第二P型掺杂区，位于第一P型掺杂区的右侧，且第一P型掺杂区和第二P型掺杂区之间通过N型阱区间隔，第二P型掺杂区的顶部从左至右依次分布有第二N型掺杂区、第四P型掺杂区。通过利用kirk效应在P形掺杂区的底部形成P型势垒层，小幅度精准提升每个SCR结构的维持电压至2.3V，大大降低占用面积。
天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息71条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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