天科合达取得晶体生长炉内气体控制系统专利，提高了晶体的电阻率的均匀性
国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司取得一项名为“一种晶体生长炉内气体控制系统”的专利，授权公告号CN223723278U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种晶体生长炉内气体控制系统，通过第二管道向晶体生长炉内通入惰性气体，通过第三管道向晶体生长炉内通入氮气，以使得晶体生长炉内存在惰性气体和氮气，以保证晶体在晶体生长炉内的正常生长；第一管道上设置有输出泵和监测模块，在晶体生长的过程中，启动输出泵通过第一管道抽取晶体生长炉内的混合气体，并通过监测模块检测混合气体中氮气浓度和惰性气体浓度中的至少一者；第二管道和第三管道中至少一者设置有控制阀，这样能够根据监测模块检测出的氮气浓度调节对应控制阀的开合度，实现了调节晶体生长炉内气体浓度，使得晶体生长炉内的氮气浓度稳定在指定范围，提高了晶体的电阻率的均匀性，提高了晶体的电阻率的合格率。
天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目309次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息211条，此外企业还拥有行政许可149个。
江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目93次，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可27个。
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来源：市场资讯