中科无线半导体申请GaN集成电路先进封装结构专利，显著提升封装的热性能
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2025-12-29 09:37:23
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国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种GaN集成电路先进封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121215629A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN集成电路先进封装结构，属于半导体器件封装技术领域。所述结构包括铜基板、树脂绝缘层、GaN芯片、第二环氧树脂层、铜电路板结构及外部填充层；GaN芯片通过第一环氧树脂层设于树脂绝缘层上，其具有铜柱引脚；铜电路板结构由设置于刻蚀凹槽内并与铜柱引脚连接的柱状铜金属结构，以及设置于树脂层上表面的梯形铜金属结构一体构成，形成顶部电学与热学通路；外部填充层填充于相邻电路结构之间。制备方法包括：基板处理、芯片贴装、塑封、表面粗化、激光刻蚀形成凹槽、化学沉铜与电镀铜、抛光、选择性刻蚀图形化及填充步骤。本发明通过双面散热与一体化铜互联结构，显著提升了封装的热性能、电气性能及可靠性。
天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可7个。
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