新微技术申请一种键合方法和键合结构专利，提高惯性传感器在高可靠性要求下的界面结合问题_电池问答

新微技术申请一种键合方法和键合结构专利，提高惯性传感器在高可靠性要求下的界面结合问题

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2026-01-12 22:08:04

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国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种键合方法和键合结构”的专利，公开号CN121292360A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种键合方法和键合结构，属于半导体技术领域。该方法包括：提供第一硅衬底和第二硅衬底，其中，第一硅衬底与第二硅衬底的待键合表面具有相同的晶向；在第一硅衬底上形成第一凹槽结构，在第二硅衬底上形成第二凹槽结构；在第一硅衬底和第二硅衬底的待键合表面上形成原子级中间层，所述原子级中间层的厚度为1nm‑3nm中任一值；将第一硅衬底和第二硅衬底进行键合处理，使凹槽结构对齐并形成绝缘区或封闭区，得到目标键合结构。本发明克服了硅氧键合强度不足和虚接率高的缺陷，同时避免了单纯硅硅键合因表面粗糙度与局部缺陷导致的开裂与失效，提高了惯性传感器在高可靠性要求下的界面结合问题。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目485次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息814条，此外企业还拥有行政许可46个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业技术投资上海惯性界面传感器结构专利高可靠性原子级惯性传感器键合衬底凹槽

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