华虹半导体申请离子注入方法专利，提高PNP电流增益
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2026-01-19 11:09:20
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种离子注入方法”的专利，公开号CN121357974A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种离子注入方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在位于所述NMOS区域的衬底上形成光阻层，使得所述PMOS区域露出；以所述光阻层为掩膜，进行源漏区离子注入工艺，以在所述衬底中形成PMOS器件的源区和漏区；以所述光阻层为掩膜，对所述源区和漏区进行氟离子注入工艺。本申请通过上述方案，能够提高PNP电流增益。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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