金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,成都微光集电科技有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器及其制造方法”的专利,公开号CN120264884A,申请日期为2025年05月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体领域,公开了一种背照式图像传感器及其制造方法,包括:采用光刻和刻蚀技术在衬底的焊盘区域形成凹槽;在衬底的表面沉积隔离层,隔离层包括两种不同材料交替层叠的隔离单元层;一种隔离单元层在研磨过程中作为研磨阻挡层,且研磨阻挡层位于隔离层的内部;在凹槽内的隔离层制作通孔并在凹槽内形成导电层;在处理后衬底的表面沉积介质层;多次研磨去除位于处理后衬底表面的介质层和隔离层;在对应衬底的逻辑电路区域形成衬底接地结构,并在衬底的像素区域形成金属格栅结构;至少去除凹槽内的介质层,以至少露出部分导电层。采用研磨的方式去除处理后衬底表面的介质层和隔离层,可以减少一层光罩的出版和一次光刻,降低生产成本。
天眼查资料显示,成都微光集电科技有限公司,成立于2014年,位于成都市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3363.1655万人民币。通过天眼查大数据分析,成都微光集电科技有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目6次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息583条,此外企业还拥有行政许可3个。
来源:金融界