曦智科技申请光子集成电路芯片及制造方法专利，缓解刻蚀停止层的应力
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2025-07-05 19:09:31
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海曦智科技有限公司申请一项名为“光子集成电路芯片及光子集成电路芯片的制造方法”的专利，公开号CN120255077A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请的实施例公开了一种光子集成电路芯片及光子集成电路芯片的制造方法。光子集成电路芯片包括光栅耦合器，方法包括：形成光栅耦合器；在所述光栅耦合器上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述光栅耦合器；在所述第一介质层上形成刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层的一部分以形成第一开口，所述第一开口位于所述光栅耦合器的上方，通过所述第一开口露出所述光栅耦合器；以及，在所述刻蚀停止层中形成多个第二开口，以缓解应力分布不均。本申请实施例中，通过在刻蚀停止层形成第二开口，缓解了刻蚀停止层的应力，避免了光子集成电路芯片中光栅耦合器的光耦合性能受到影响。
天眼查资料显示，上海曦智科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7582.962万人民币。通过天眼查大数据分析，上海曦智科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息74条，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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