上海新微半导体申请一种直角结构及其制备方法专利，有效抑制光刻中存在的光学邻近效应以及图形畸变
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2025-07-07 11:11:12
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“一种直角结构及其制备方法”的专利，公开号CN120261273A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供的一种直角结构及其制备方法，通过在第一层硬掩膜中形成沿第一方向的第一线条，以及在第二层硬掩膜中形成与第一线条垂直的第二线条，然后于第一线条和第二线条的交叉点进行选择性刻蚀，从而形成所需要的直角结构。通过两次曝光刻蚀工艺形成的直角结构，克服了曝光区域的光刻胶由于受到光线的照射程度不同而引起的刻蚀速率不同，引起曝光区域的边缘部分光刻胶部分去除从而形成的圆角缺陷，有效抑制了光刻中存在的光学邻近效应以及图形畸变，从而满足制程的精度需求，提高电路的电气性能和可靠性，此外，由于不需要庞大的光学技术修正即可达到所需要的精度，还能够降低成本。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目826次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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