积塔半导体申请芯片结构及制备方法专利，有效改善芯片介质层的厚度均匀性
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2026-04-10 21:54:48
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“芯片结构、芯片及芯片结构的制备方法”的专利，公开号CN121843511A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种芯片结构、芯片及芯片结构的制备方法，制备方法包括：提供一衬底，于衬底的一侧沉积金属层；于金属层背离衬底的一侧沉积第一介质层；于第一介质层背离金属层的一侧沉积第二介质层；刻蚀第二介质层、第一介质层和金属层，形成金属反射部和金属互连部；于刻蚀后的结构背离衬底的一侧沉积第三介质层；以第二介质层为研磨停止层，对第三介质层进行平坦化处理；去除第二介质层；第一介质层和第三介质层组合而成介质层，介质层包括对应第一区域和第二区域，第一区域背离衬底的一侧表面与第二区域背离衬底的一侧表面相齐平。本申请可以精准控制介质层厚度，有效改善了芯片介质层的厚度均匀性，从而改善芯片的性能。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1974次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1354条，此外企业还拥有行政许可201个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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