SpaceX 得州建芯片厂，首期投资 550 亿美元冲击2纳米制程
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2026-05-07 13:46:23
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来源：环球网
【环球网科技综合报道】5月7日消息，据CNBC报道，美国太空探索技术公司（SpaceX）近日公布重大投资计划，拟在得克萨斯州格莱姆斯县建设新一代垂直整合半导体制造与先进计算生产设施，项目初期投资达550亿美元，全部建成后总投资规模最高可达1190亿美元。
据格莱姆斯县官方发布的公开通知显示，该项目选址于吉本斯溪水库附近区域，是美国本土半导体制造能力建设的重要布局，将推动先进芯片技术研发与产业化落地。项目相关公开听证会定于6月3日举行，后续建设工作将按计划稳步推进。
据悉，该项目为马斯克提出的Terafab晶圆厂核心工程，旨在为航天、机器人、人工智能等前沿领域提供芯片支撑。项目聚焦2纳米先进制程芯片研发生产，技术水平处于全球行业前沿，建成后可满足每年1太瓦算力需求，匹配航天与人工智能领域发展算力需求。
企业方面表示，当前半导体产业发展节奏难以适配前沿科技领域的芯片供给需求，推进本土先进芯片制造项目具有必要性。项目启动后，相关团队已与应用材料、TEL集团、泛林集团等全球主流芯片设备制造商对接，洽谈设备采购与交付事宜，全力加快项目建设进度。（纯钧）
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