珠海楠欣半导体申请高边NMOS驱动电路专利，提高高边NMOS管的开启速度
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2026-05-10 02:13:41
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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“一种高边NMOS驱动电路、芯片以及电子设备”的专利，公开号CN122001348A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种高边NMOS驱动电路、芯片以及电子设备，涉及电源管理芯片技术领域，该电路包括系统时钟电路、本地时钟电路、脉冲信号产生电路、多路复用电路、电荷泵电路及高边NMOS晶体管；系统时钟电路产生系统时钟信号；脉冲信号产生电路根据驱动使能信号产生脉冲使能信号；本地时钟电路根据脉冲使能信号，输出频率大于系统时钟信号的高频时钟信号；多路复用电路根据脉冲使能信号，输出目标时钟信号，目标时钟信号为系统时钟信号或者高频时钟信号；电荷泵电路根据驱动使能信号、目标时钟信号，将电池电压转换为驱动电压以驱动高边NMOS晶体管。选择频率更高的高频时钟信号控制电荷泵电路，可提高高边NMOS管的开启速度。
天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息291条，此外企业还拥有行政许可3个。
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