北方集成电路申请光电存储器结构及其形成方法专利，可以提供适用于硅基高密度集成的高性能光电存储器
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2026-05-22 18:48:21
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种光电存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN122073880A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种光电存储器结构及其形成方法，所述光电存储器结构包括：基底，所述基底包括顶硅层，所述顶硅层被隔离结构分隔为第一区域和第二区域；以所述第一区域的顶硅层为有源区的光电探测单元以及以所述第二区域的顶硅层为有源区的存储单元；位于所述顶硅层上覆盖所述光电探测单元和存储单元的层间介质层以及位于所述层间介质层中电连接所述光电探测单元的第二接触区和所述存储单元的源极的金属互连结构。本申请提供一种光电存储器结构及其形成方法，可以提供适用于硅基高密度集成的高性能光电存储器。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息648条，此外企业还拥有行政许可125个。
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来源：市场资讯
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