普冉半导体申请异质存储晶圆键合堆叠的存储器装置及其制造方法专利，显著提升设备性能
创始人
2026-06-23 22:21:13
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国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“一种异质存储晶圆键合堆叠的存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN122266421A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提出一种异质存储晶圆键合堆叠的存储器装置及其制造方法，第一晶圆上设置有NOR Flash存储阵列对应的第一存储单元；第二晶圆上设置有NAND Flash存储阵列对应的第二存储单元；第一晶圆与第二晶圆以键合的方式垂直堆叠；在第一晶圆或第二晶圆上还设置有控制单元，控制单元用于对第一存储单元和第二存储单元进行控制管理。通过键合将NOR Flash存储阵列、NAND Flash存储阵列集成于一体，兼顾二者优点，显著提升设备性能，显著地降低生产成本与运行功耗。且因为在单个封装内的键合堆叠中完成，减少外部走线，显著降低系统级延迟、印刷电路板面积及互连功耗。
天眼查资料显示，普冉半导体（上海）股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14804.9102万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息224条，此外企业还拥有行政许可7个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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