上海新微半导体取得半导体器件结构专利，器件阈值电压波动相对较小
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2025-07-08 23:09:09
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司取得一项名为“半导体器件结构”的专利，授权公告号CN223080383U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：从下至上依次堆叠的衬底、第一电子供应层、沟道层、第二电子供应层、第一阻挡层、第二阻挡层和盖帽层，所述盖帽层具有暴露所述第二阻挡层的沟槽；以及，栅极，所述栅极位于所述第二阻挡层上，且位于所述沟槽内，所述栅极包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括Pt金属；其中，所述第一阻挡层用于阻止Pt金属向所述第二电子供应层扩散，所述第一阻挡层包括AlAs阻挡层，所述第二阻挡层用作对所述盖帽层进行腐蚀以形成所述沟槽时的腐蚀停止层。由于Pt金属在AlAs中扩散很慢，经过蒸镀及合金化制程，Pt金属停留在所述第一阻挡层，Pt金属到所述沟道层距离较稳定，因此器件阈值电压波动相对较小。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目826次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息97条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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