深爱半导体申请半导体结构及其制备方法、半导体器件专利,提高了器件的工作频率
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2025-07-10 09:09:27
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金融界2025年7月10日消息,国家知识产权局信息显示,深圳深爱半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件”的专利,公开号CN120282512A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件,包括:衬底;至少两层第一导电类型的外延层,至少一个第二导电类型的掺杂区域,第一导电类型与第二导电类型相反;掺杂区域位于相邻外延层之间,且包括相对设置的第一掺杂区以及第二掺杂区,第一掺杂区位于相邻外延层之中的靠近衬底的一者中,第二掺杂区位于相邻外延层之中远离衬底的一者中,且第一掺杂区以及第二掺杂区的深度均小于其所在的外延层的厚度。由于外延结构中形成了多个浮空型的掺杂区域,且掺杂区域与外延结构的导电类型相反,使得在器件关断时,少数载流子的寿命更短,器件可以更快速地关断,提高了器件的工作频率。

天眼查资料显示,深圳深爱半导体股份有限公司,成立于1988年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25717.2395万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳深爱半导体股份有限公司参与招投标项目368次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息162条,此外企业还拥有行政许可48个。

来源:金融界

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