深爱半导体申请半导体结构及其制备方法、半导体器件专利，提高了器件的工作频率
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2025-07-10 09:09:27
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金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，深圳深爱半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN120282512A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：衬底；至少两层第一导电类型的外延层，至少一个第二导电类型的掺杂区域，第一导电类型与第二导电类型相反；掺杂区域位于相邻外延层之间，且包括相对设置的第一掺杂区以及第二掺杂区，第一掺杂区位于相邻外延层之中的靠近衬底的一者中，第二掺杂区位于相邻外延层之中远离衬底的一者中，且第一掺杂区以及第二掺杂区的深度均小于其所在的外延层的厚度。由于外延结构中形成了多个浮空型的掺杂区域，且掺杂区域与外延结构的导电类型相反，使得在器件关断时，少数载流子的寿命更短，器件可以更快速地关断，提高了器件的工作频率。
天眼查资料显示，深圳深爱半导体股份有限公司，成立于1988年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25717.2395万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳深爱半导体股份有限公司参与招投标项目368次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息162条，此外企业还拥有行政许可48个。
来源：金融界
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