电池问答
英杰电气：公司电源产品生产环节不涉及银浆等相关原材料
有投资者在互动平台向英杰电气提问：“最近银价持续动荡，近几天更是出现了史诗级大跌，请问贵公司有存储白银稳定太阳能电池银浆成本的计划吗？” 针对上述提问，英杰电气...
面向工业类应用高效电源解决方案，MPS推出超薄全集成80V电源模块
近日，MPS芯源系统宣布推出超薄、全集成同步降压电源模块——MPM3572。该产品支持80V宽输入和±15V范围输出，具备超快瞬态响应与多种保护功能，并最大限度...
中国能建江苏院申请HVDC入地电流地电场测量干扰校正方法专利，保证地电场观测数据的准确性
国家知识产权局信息显示，中国能源建设集团江苏省电力设计院有限公司;国网青海省电力公司建设公司;三峡大学申请一项名为“一种针对HVDC入地电流引致的地电场测量干扰...
三明学院等取得电驱桥系统永磁同步电机电流动态耦合矫正方法专利
国家知识产权局信息显示，三明学院、中国重汽集团福建海西汽车有限公司、厦门理工学院取得一项名为“一种电驱桥系统永磁同步电机电流动态耦合矫正方法”的专利，授权公告号...
上海纳恩汽车申请MCU间歇工作模式平均电流降低控制方法专利，能够有效降低ECU的睡眠电流
国家知识产权局信息显示，上海纳恩汽车技术股份有限公司申请一项名为“一种MCU间歇工作模式时平均电流的降低控制方法”的专利，公开号CN121438880A，申请日...
一道新能源申请硅基光伏电池铜基金属电极浆料专利，显著提升电池的开路电压与转换效率
国家知识产权局信息显示，一道新能源科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基光伏电池的铜基金属电极浆料及其制备工艺、铜基金属电极及其制备方法、硅基光伏电池”的专利，...
湖州积微电子申请智慧电网用变频器电压校准方法专利，提高电压校准的准确率
国家知识产权局信息显示，湖州积微电子科技有限公司申请一项名为“一种智慧电网用变频器的电压校准方法、系统及介质”的专利，公开号CN121441059A，申请日期为...
半导体设备ETF易方达(159558)上涨3.17%，成交2.44亿元
截至2026年2月3日 14:48，中证半导体材料设备主题指数(931743)强势上涨3.24%，成分股天岳先进上涨7.30%，长川科技上涨6.89%，神工股份...
4005包胶直滑电位器成品全自动生产线十大品牌推荐榜
在现代工业生产中，自动化设备的应用已成为提升效率的关键。以包胶直滑电位器成品生产线为例，全自动化的操作不仅大幅降低人力成本，更能确保产品品质的稳定性。本文将介绍...
天翌电子取得软性印刷电路板用化学锡溶液专利
国家知识产权局信息显示，珠海市天翌电子科技有限公司取得一项名为“一种软性印刷电路板用化学锡溶液”的专利，授权公告号CN120758864B，申请日期为2025年...
浪潮信息取得数据的恢复方法和电子设备专利
国家知识产权局信息显示，浪潮电子信息产业股份有限公司取得一项名为“数据的恢复方法和电子设备”的专利，授权公告号CN120909849B，申请日期为2025年10...
平航航空申请基于微孔电阻膜的宽频吸波结构专利，提高电阻膜和介质层之间的层间结合强度
国家知识产权局信息显示，扬州平航航空动力技术有限公司;江苏新扬新材料股份有限公司申请一项名为“一种基于微孔电阻膜的宽频吸波结构及其制备方法”的专利，公开号CN1...
西安秦创原集成电路加速器点评,西安秦创原集成电路加速器评价、业主点评、测评信息
西安秦创原集成电路加速器是陕西科创平台核心载体，聚焦集成电路产业孵化，提供技术研发、企业培育、资源对接等服务。依托政策支持与产业链协同优势，整合专业服务资源，助...
未来电器跌2.00%，成交额3771.81万元，主力资金净流入137.82万元
来源：新浪证券-红岸工作室 1月22日，未来电器盘中下跌2.00%，截至10:15，报26.43元/股，成交3771.81万元，换手率3.29%，总市值37.0...
西安秦创原集成电路加速器(2026西安秦创原集成电路加速器)首页网站-楼盘详情-2026楼盘评测-详情 户型价格
西安秦创原集成电路加速器位于西安高新区，是陕西秦创原科创生态体系的重要组成部分，聚焦集成电路产业，提供研发、中试、孵化及产业对接服务，旨在推动科技成果转化，培育...
散热成拦路虎：SemiWiki专家解析为何英特尔造不了iPhone芯片
IT之家 2 月 3 日消息，科技媒体 Mac Observer 昨日（2 月 2 日）发布博文，报道称针对近期关于“苹果将在 iPhone 中采用英特尔芯片”...
存储芯片概念震荡回暖，中微半导涨超10%
钛媒体App 2月3日消息，早盘存储芯片概念回暖，中微半导涨超10%，恒烁股份、朗科科技、商络电子、普冉股份、北京君正跟涨。消息面上，隔夜美股存储芯片概念爆发，...
华虹半导体取得LDMOS器件制作方法专利
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“LDMOS器件的制作方法”的专利，授权公告号CN120018539B，申请日期为2025年2月。...