华为申请半导体结构制作相关专利，减小沟道层与电极结构之间的电阻
创始人
2025-07-18 23:09:26
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构制作方法、半导体结构、电子器件及电子设备”的专利，公开号CN120343937A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构制作方法、半导体结构、电子器件及电子设备，旨在解决沟道层与源极结构和漏极结构之间的电阻较大的技术问题，该半导体结构制作方法，在形成空隙的同时会将牺牲层接触的部分沟道层去除，导致空隙对应的沟道层厚度减小，而形成第二凹槽时，会将空隙对应的部分沟道层去除，即将厚度较小的部分沟道层去除，进而增大沟道层与电极结构的接触面积，减小了沟道层与电极结构之间的电阻。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1509个。
来源：金融界
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