华灿光电申请改善过刻蚀的发光二极管及其制备方法专利，改善外延层过刻蚀的问题
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2025-07-21 10:09:32
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“改善过刻蚀的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120344056A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善过刻蚀的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和绝缘阻挡层，所述绝缘阻挡层位于所述外延层的表面上，所述绝缘阻挡层包括依次层叠的至少两层阻挡层，每层所述阻挡层均包括刻蚀阻挡层和离子阻挡层，所述刻蚀阻挡层的致密性低于所述离子阻挡层的致密性，所述刻蚀阻挡层的厚度大于所述离子阻挡层的厚度。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目89次，专利信息559条，此外企业还拥有行政许可47个。
来源：金融界
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