真茂佳半导体取得双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法专利
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2025-07-22 15:16:52
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳真茂佳半导体有限公司取得一项名为“双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法”的专利，授权公告号CN113451244B，申请日期为2021年07月。
天眼查资料显示，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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