宁波达新半导体申请一种PNM IGBT的制造方法专利，显著提升了PNM IGBT器件生产制造的可行性
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2025-07-28 12:40:15
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，宁波达新半导体有限公司申请一项名为“一种PNM IGBT的制造方法”的专利，公开号CN120379283A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开一种PNM IGBT的制造方法。本发明通过硬掩模技术，结合各向异性与各向同性刻蚀的多次刻蚀技术。通过低成本的方式实现高精度的台面控制，可以实现较好的生产制造控制，实现大规模量产。通过本发明的方法，显著提升了PNM IGBT器件生产制造的可行性。
天眼查资料显示，宁波达新半导体有限公司，成立于2013年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2191.0415万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波达新半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息20条。
来源：金融界
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