中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件可靠性
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2025-07-29 15:13:41
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120390440A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度，所述第一沟槽和第二沟槽中分别形成有第一外延层和第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层的表面与所述半导体衬底表面平齐。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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