中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,有利于提高半导体结构的良率
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2025-08-01 13:13:27
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金融界2025年8月1日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120417381A,申请日期为2024年01月。

专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,结构包括:基底,包括多个存储单元区,相邻存储单元区之间的基底包括位线区、以及位于位线区两侧的字线区,字线区的基底中形成有有源区;存储结构,位于存储单元区的基底上;字线栅结构,位于字线区的基底上;金属硅化物层,位于位线区中部分基底的顶部,且金属硅化物层与相邻的字线区之间具有间隔。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目127次,财产线索方面有商标信息150条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可451个。

来源:金融界

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