中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了晶圆的利用率
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2025-08-04 18:40:48
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120413517A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：形成位于基底中心区第一沟槽和第一对位标记开口，以及位于基底边缘区第二沟槽和第二对位标记开口；在第一对位标记开口与第二对位标记开口底部和侧壁覆盖第一停止层；在第一沟槽和第二沟槽中填充第一沟道层；形成覆盖第一停止层和第一沟道层的第二停止层；去除第二沟槽处第二停止层和第一沟道层；在第一对位标记开口、第二对位标记开口和第二沟槽中填充介质材料层；以第二停止层为停止层对介质材料层进行第一平坦化处理；以第一停止层为停止层对第一沟槽处第一沟道层进行第二平坦化处理；解决了化学机械抛光工艺带来的基底损伤、半导体器件特性变差及缺陷误判等导致晶圆报废的问题，进而提高了晶圆的利用率。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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