上海集成电路研发申请图像传感器及其形成方法专利，降低相邻微透镜结构以及相邻颜色模块之间的光路交互串扰
创始人
2025-06-28 13:38:23
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“图像传感器及其形成方法”的专利，公开号CN120224805A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器及其形成方法，通过在像素阵列上层形成隔离墙，且隔离墙位于相邻且颜色不同的颜色模块之间，所述隔离墙的顶部具有金字塔结构，并且所述隔离墙的高度不低于微透镜结构与所述颜色模块的高度之和，因此，隔离墙能够降低相邻微透镜结构以及相邻颜色模块之间的光路交互串扰。进一步的，隔离墙至少包括无机黑膜图层或者有机黑膜图层中的一种。隔离墙具有高反射低透过的光学特性，能够反射或者吸收入射光线，降低不同颜色通道间的光路交互串扰。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2099条，此外企业还拥有行政许可87个。
来源：金融界
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