拓荆创益申请温度控制装置、方法及存储介质专利，根据加热丝电阻值确定其所在区域的实际温度
创始人
2026-01-09 19:09:16
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种温度控制装置、方法及存储介质”的专利，公开号CN121300537A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种温度控制装置、一种温度控制方法及一种计算机可读存储介质。所述温度控制装置包括：多个加热丝，分布于加热盘的多个区域；多个驱动器，连接所述多个加热丝，并分别包括电压电流采集电路；以及控制器，连接所述多个驱动器，并被配置为：经由各所述驱动器的电压电流采集电路，分别采集对应加热丝两端的电压与电流，以计算其电阻值；根据各所述加热丝的电阻值，确定其所在区域的实际温度；以及根据各所述区域的实际温度及其对应的预设温度范围，调节各所述驱动器向对应加热丝输出的功率。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可16个。
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