爱思开海力士申请包括贯通电极的半导体芯片专利，实现后连接电极同时与一对贯通电极连接
创始人
2026-01-12 11:39:32
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括贯通电极的半导体芯片”的专利，公开号CN121311079A，申请日期为2021年6月。
专利摘要显示，本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时与该一对贯通电极连接，其中，该一对贯通电极之间的距离大于绝缘层的厚度的两倍。
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来源：市场资讯
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