索尼半导体解决方案申请光检测装置专利，抑制暗电流增加
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2026-01-13 21:38:49
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“光检测装置、成像装置和制造光检测装置的方法”的专利，公开号CN121312287A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明抑制了由嵌入在被入射光的半导体层中的元件隔离层的界面处的缺陷引起的暗电流的增加。该光检测装置包括：第一导电类型杂质扩散层，其设置在光的入射位置处；第二导电类型杂质扩散层，其与所述第一导电类型杂质扩散层接合；元件隔离层，其嵌入在所述第一导电类型杂质扩散层中，以隔离所述第二导电类型杂质扩散层；以及钉扎层，其设置在所述第一导电类型杂质扩散层与所述元件隔离层之间的界面处，所述钉扎层与所述第二导电类型杂质扩散层间隔开。元件隔离层可以连续设置为围绕第二导电型杂质扩散层的周边。
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