苏州国显创新申请芯片散热结构及其制备方法专利，改善了多芯片集成封装的整体散热效能与可靠性
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2026-01-15 08:38:16
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国家知识产权局信息显示，苏州国显创新科技有限公司申请一项名为“芯片散热结构及其制备方法”的专利，公开号CN121335537A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种芯片散热结构及其制备方法，芯片散热结构包括：基板；第一芯片和第二芯片，设置于基板的同一侧，第一芯片的有源面与第二芯片的有源面均朝向基板设置；第一芯片背离基板的一侧表面开设有第一散热通道，第二芯片背离基板的一侧表面开设有第二散热通道；第一散热结构，设置于第一芯片背离基板的一侧，第一散热结构填充第一散热通道；第二散热结构，设置于第二芯片背离基板的一侧，第二散热结构填充第二散热通道；其中，第一散热结构背离基板一侧的表面与第二散热结构背离基板一侧的表面共面。本申请通过共面设计，有助于设置较薄的热界面层，降低了热阻，改善了多芯片集成封装的整体散热效能与可靠性。
天眼查资料显示，苏州国显创新科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州国显创新科技有限公司参与招投标项目9次，专利信息821条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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