京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制备方法专利，有效降低制备成本
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2026-01-17 10:37:36
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121335305A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层、分布式布拉格反射层、第一一次电极和第二一次电极；外延层包括依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层；分布式布拉格反射层叠设在外延层的一侧，分布式布拉格反射层具有第一电极孔和第二电极孔；第一一次电极贯穿第一电极孔与第一半导体层电性连接，第二一次电极贯穿第二电极孔与第二半导体层电性连接。本公开可以有效的降低制备成本。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目30次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可111个。
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来源：市场资讯
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