上海新傲科技申请半导体结构及其形成方法专利，实现对半导体结构性能的改善
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2025-07-02 19:10:09
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海新傲科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120236994A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底包括相对分布的正面和背面；键合第二衬底至所述第一衬底的所述正面上，形成包括所述第一衬底和所述第二衬底的半导体衬底，且所述第二衬底的电阻值高于所述第一衬底的电阻值；于所述第二衬底背离所述第一衬底的表面上形成器件结构。本发明从根源上避免外延工艺中的自掺杂效应对第二衬底中掺杂离子分布均匀性的影响，确保了所述第二衬底电阻值分布的均匀性，实现了对半导体结构性能的改善。
天眼查资料显示，上海新傲科技股份有限公司，成立于2001年，位于上海市，是一家以从事化学纤维制造业为主的企业。企业注册资本31500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新傲科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可158个。
来源：金融界
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