华虹半导体申请半导体结构的形成方法专利，减小了漏电流
创始人
2026-01-22 22:13:26
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121368109A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：形成器件层，所述器件层包括若干存储单元；在所述器件层上形成介质层和位于介质层内的插塞结构，所述插塞结构与所述存储单元电连接；对所述半导体结构进行退火处理，所述退火处理包括第一处理过程和第二处理过程，所述第一处理过程具有第一温度范围和第一压强范围，所述第二处理过程具有第二温度范围和第二压强范围，所述第一温度范围小于所述第二温度范围，所述第一压强范围大于所述第二压强范围。所述方法减小了漏电流。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1983条，此外企业还拥有行政许可117个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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