应用材料公司申请Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层专利，半导体装置及其制造方法
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2026-01-23 00:37:40
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层”的专利，公开号CN121368944A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体装置及其制造方法。提供了一种基板。在基板的顶部上形成至少一个硅层。在至少一个硅层的顶部上形成至少一个硅锗层。至少一个硅锗层包括至少一种n型掺杂剂。形成具有至少一个硅层及至少一个硅锗层的半导体装置。
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来源：市场资讯
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