IBM申请用于堆叠式场效应晶体管架构的相邻埋入式电源轨专利，提供涉及堆叠式场效应晶体管架构的相邻埋入式电源轨的一个或多个系统等
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2025-07-02 20:39:13
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“用于堆叠式场效应晶体管架构的相邻埋入式电源轨”的专利，公开号CN120240005A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本文提供的一个或多个系统、器件和/或制造方法涉及用于堆叠式场效应晶体管架构的相邻埋入式电源轨。半导体器件可以包括堆叠在第二晶体管上的第一晶体管，其中第一晶体管从第二晶体管横向偏移，以及第一埋入式电源轨和第二埋入式电源轨，其中第一埋入式电源轨耦合到第一晶体管，并且第二埋入式电源轨耦合到第二晶体管。

来源：金融界

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