北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，提高电容结构的垂直方向空间利用率_电池知识

北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，提高电容结构的垂直方向空间利用率

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2026-01-24 17:12:16

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398619A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有第一金属层；依次位于所述层间介质层表面的第一阻挡层和第一介质层；依次位于所述第一介质层表面的第二阻挡层和第二介质层，所述第二介质层中形成有第三金属层；第二电极，贯穿所述第三金属层、第二介质层、第二阻挡层、第一介质层和第一阻挡层电连接所述第一金属层；介电层，位于所述第二电极高于所述第一阻挡层顶面的侧壁；第一电极，位于所述介电层侧壁，所述第二电极、介电层和第一电极构成电容器单元。本申请可以提高电容结构的垂直方向空间利用率。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息525条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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