铠侠申请半导体装置及半导体装置的制造方法专利，能够确保窄间距的布线与通孔的耐压
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2026-02-14 15:42:20
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121510580A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置能够确保窄间距的布线与通孔的耐压。实施方式的半导体装置具备：多个第1布线层，互相隔开规定距离而排列；多个气隙层，从第1布线层的高度位置突出，分别配置在多个第1布线层之间，沿着第1布线层延伸；以及多个第2布线层，配置在多个第1布线层的上方；且多个通孔分别包含：上部结构，与多个第2布线层的任意一者连接并在多个气隙层的上方向多个第1布线层延伸，具有比与多个第1布线层的延伸方向交叉的第1方向上的多个第1布线层各自的宽度大的第1直径；以及下部结构，在多个气隙层的高度位置延伸并与多个第1布线层的任意一者连接，具有比第1直径小的第2直径。
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来源：市场资讯
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