江苏第三代半导体研究院申请氮化铝晶体生长方法专利，实现获得低杂质、高晶格完整性的氮化铝晶体_电池知识

江苏第三代半导体研究院申请氮化铝晶体生长方法专利，实现获得低杂质、高晶格完整性的氮化铝晶体

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2026-02-16 17:43:54

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种氮化铝晶体的生长方法”的专利，公开号CN121519167A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种氮化铝晶体的生长方法，该方法包括：将承载第一氮化铝原料与第一氮化铝籽晶的坩埚置于处理腔室内；对处理腔室进行第一分阶段热处理，以去除处理腔室内的杂质；在第一分阶段热处理的过程中温度呈阶梯式增加；对处理腔室进行第二分阶段热处理以去除坩埚内的杂质；在第二分阶段热处理的过程中温度呈阶梯式增加；对热处理后的第一氮化铝原料进行烧结处理，得到第二氮化铝原料与第二氮化铝籽晶；采用传输装置将坩埚从处理腔室移送至传输腔室；采用传输装置将坩埚从传输腔室移送至生长腔室；在生长腔室内利用第二氮化铝原料与第二氮化铝籽晶生长氮化铝晶体。采用本方法实现了获得低杂质、高晶格完整性的氮化铝晶体。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法晶体投资半导体处理坩埚完整性杂质专利腔室氮化氮化铝铝籽晶

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