晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”_电池知识

晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”

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2026-03-04 03:41:14

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202511429564.1，授权日为2026年3月3日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽，在所述垫氧化层和所述垫氮化层之间形成凹陷区；去除所述垫氮化层；进行第一沉积工艺，在所述凹陷区上形成第一隔离介质；进行第二沉积工艺，在所述浅沟槽、所述第一隔离介质和所述垫氧化层上形成第二隔离介质；平坦化所述第二隔离介质；去除所述垫氧化层以及所述垫氧化层上的所述第二隔离介质。通过本发明提供的半导体结构的制作方法，能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，提高半导体结构的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权95个，较去年同期增加了187.88%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1657条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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