华光光电申请半导体激光器芯片及制备方法专利，提升芯片可靠性和寿命
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2026-03-20 15:03:55
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国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种半导体激光器芯片及制备方法”的专利，公开号CN121688555A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，包括自下至上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、张应变量子阱、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层，以及SiO2绝缘层、第一层P面金属和第二层P面金属。欧姆接触层两侧对称设置波导槽，贯穿欧姆接触层，槽底部下陷至P型限制层但不超过该层，两槽之间形成脊波导。波导槽深度在纵向上呈阶梯型结构，靠近腔面区域深度加大至N型波导层，该区域全覆盖SiO2绝缘层和第一层P面金属，但无第二层P面金属，形成纵向阶梯型结构。通过张应变量子阱和阶梯型波导槽设计实现腔面张应变释放，减少光吸收，提升芯片可靠性和寿命。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目576次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息801条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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