铠侠申请半导体存储装置专利，具备多层芯绝缘膜与通道半导体膜结构
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2026-03-21 12:39:39
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121712017A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，实施方式的半导体存储装置具备：第1积层膜，将多个第1导电层与多个第1绝缘层交替积层而成；第1芯绝缘膜，贯通第1积层膜；第2芯绝缘膜，设置在第1芯绝缘膜的周围；第3芯绝缘膜，设置在第2芯绝缘膜的周围；第1通道半导体膜，设置在第3芯绝缘膜的周围；第1隧道绝缘膜，设置在第1通道半导体膜的周围；第1电荷蓄积膜，设置在第1隧道绝缘膜的周围；第2积层膜，将多个第2导电层与多个第2绝缘层交替积层而成；第4芯绝缘膜，贯通第2积层膜；第2通道半导体膜，设置在第4芯绝缘膜的周围；第2隧道绝缘膜，设置在第2通道半导体膜的周围；及第2电荷蓄积膜，设置在第2隧道绝缘膜的周围。
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来源：市场资讯
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