格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，提高器件电流调节能力
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2026-03-26 00:52:00
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121728803A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：衬底；外延层，设置于衬底上且具有第一掺杂类型；电流调节层，设置于外延层内，具有第一掺杂类型且掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度，电流调节层包括沿平行于衬底的方向间隔设置的多个第一电流调节部；基区，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，多个基区间隔设置于外延层内，且位于电流调节层背离衬底的一侧；具有第二掺杂类型的阱区和具有第一掺杂类型的源区，设置于基区内；沟槽栅极结构，至少部分设置于相邻的基区的间隔中，沟槽栅极结构延伸至电流调节层内并与第一电流调节部接触。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可108个。
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