华润微电子申请沟槽型MOS器件及其制造方法专利，获得更大的电流密度
创始人
2026-03-27 02:17:21
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国家知识产权局信息显示，华润微电子（重庆）有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN121728799A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种沟槽型MOS器件及其制造方法，所述器件包括：若干沟槽栅结构，每个沟槽栅结构包括位于第一沟槽中的栅极，以及位于第一沟槽中且将栅极包覆的栅介电层；源极区，位于各第一沟槽的两侧；沟槽场板结构，包括位于第二沟槽内表面的场板介电层，以及位于第二沟槽中的场板材料，场板介电层将所述场板材料的侧面和底部包围，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度；源电极，位于沟槽场板结构和源极区上，与场板材料及源极区电性连接；漏极区，位于沟槽栅结构和沟槽场板结构下方；漏电极，与漏极区电性连接。本发明结构较为简单，制造难度低，易于形成小尺寸的结构，从而获得更大的电流密度，且能够保证沟槽中介电层的厚度，避免IGSS过大。
天眼查资料显示，华润微电子（重庆）有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本198920万人民币。通过天眼查大数据分析，华润微电子（重庆）有限公司参与招投标项目2624次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息460条，此外企业还拥有行政许可54个。
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