荣芯半导体申请半导体结构测试方法专利，提高金属离子测试准确性
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2026-03-28 15:50:33
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的测试方法”的专利，公开号CN121752037A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的测试方法,测试方法包括：提供形成有预定厚度的介质层的衬底；对衬底执行至少一次第一处理，以去除部分介质层，第一处理包括：向化学气相分解机台以第一流速通入刻蚀气体，并通入吹扫气体；以第二流速继续向腔室通入刻蚀气体，对剩余的介质层进行第二处理，去除剩余的介质层，第二流速大于第一流速，第二处理时通入刻蚀气体的时长大于第一处理时通入刻蚀气体的时长；将提取液滴滴在去除介质层的衬底上，使提取液滴在衬底上滚动，获取待测液滴；对待测液滴进行分析，得到待测液滴中的金属离子含量。本申请通过将VPD的前处理分成低流速处理阶段和高流速处理阶段，可以有效降低待测液中硅含量，提高金属离子测试的准确性。
天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可40个。
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来源：市场资讯
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